Pam y Gellir Ddefnyddio Swm Bach O Silicon Carbide mewn Mwyndoddi Ferrosilicon

Nid yw'r "carbid silicon" y cyfeirir ato yma yn ddeunydd crai penodol, ond gwastraff inswleiddio'r ffwrnais graffitization wrth gynhyrchu electrodau graffit. Mae'n cynnwys llawer iawn o garbid silicon, a dyna pam y cyfeirir at y gwastraff hwn yn gyffredin fel "carbid silicon". Mae ei gyfansoddiad fel a ganlyn:

SiC25 ~ 40%; SiO220%; C25%; Y gweddill yw Al2O3, CaO, ac ati.

Mewn mwyndoddi ferrosilicon, mae gostyngiad silica yn adwaith sy'n amsugno llawer o egni gwres. Felly, er mwyn i'r adwaith hwn ddigwydd yn ddwys, mae angen cynnal tymheredd uchel iawn (tua 1800 ~ 1900 gradd), felly mae llawer o drydan yn cael ei fwyta. Pan ychwanegir cyfran o'r carbid silicon at y tâl, mae'n adweithio â'r sbarion dur yn y tâl yn y ffwrnais fel a ganlyn:

SiC+Fe=FeSi+C

Mae'r adwaith hwn yn endothermig. Mae'r gwres a amsugnir ganddo a'r tymheredd adwaith yn is na'r gwres a'r tymheredd sydd eu hangen ar gyfer lleihau silicon deuocsid. Felly, mae ychwanegu rhan o'r carbid silicon i'r tâl yn caniatáu ichi leihau'r defnydd o ynni.

Wrth fwyndoddi 45 o ferrosilicon, mae'r tâl yn cynnwys mwy o sbarion dur, ac mae'r adwaith torri asgwrn carbid silicon yn bennaf yn SiC+Fe=FeSi+C. Felly, mae cyfradd defnyddio carbid silicon yn uwch ar hyn o bryd.

Wrth fwyndoddi 75 o ferrosilicon yn y tâl, mae llai o sgrapiau dur a mwy o silica, a bydd yr adwaith dinistrio carbid silicon yn mynd rhagddo'n bennaf yn ôl y fformiwla ganlynol:

2SiO2+SiC= 3SiO+CO↑

SiO+SiC=2Si+CO↑

Mae'r ddau adwaith yn digwydd ar dymheredd uchel o tua 1800 gradd, ac felly mae SiO nwyol yn cymryd rhan ynddynt. Fodd bynnag, oherwydd bod nwy SiO yn fwy cyfnewidiol, nid yw'n hawdd cyflawni'r adwaith dinistrio carbid silicon yn ddiogel. Gellir gweld, wrth fwyndoddi 75 ferrosilicon, bod y gyfradd defnyddio carbid silicon yn isel.