Mewn cymwysiadau electroneg a lled-ddargludyddion, prif fanteision SiC yw:
Dargludedd thermol uchel 120-270 W/mK
Cyfernod isel o ehangu thermol 4.0x10^-6/ gradd
Dwysedd cerrynt uchaf uchel
Mae'r cyfuniad o'r tair nodwedd hyn yn rhoi dargludedd trydanol gwell i SiC, yn enwedig o'i gymharu â silicon, cefnder mwy poblogaidd SiC. Mae nodweddion materol SiC yn ei gwneud yn fanteisiol iawn ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel lle mae angen cerrynt uchel, tymheredd uchel a dargludedd thermol uchel.
Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, mae SiC wedi dod yn chwaraewr allweddol yn y diwydiant lled-ddargludyddion, gan bweru MOSFETs, deuodau Schottky a modiwlau pŵer i'w defnyddio mewn cymwysiadau pŵer uchel, perfformiad uchel. Er eu bod yn ddrytach na MOSFETs silicon, sydd fel arfer yn gyfyngedig i foltedd dadelfennu o 900 V, mae SiC yn caniatáu foltedd trothwy o bron i 10 kV.
Mae gan SiC hefyd golledion newid isel iawn a gall gynnal amlder gweithredu uchel, gan ganiatáu iddo gyflawni effeithlonrwydd heb ei ail hyd yn hyn, yn enwedig mewn cymwysiadau sy'n gweithredu ar folteddau sy'n fwy na 600 folt. Pan gânt eu cymhwyso'n gywir, gall dyfeisiau SiC leihau colledion system trawsnewidydd a gwrthdröydd bron i 50%, maint 300%, a chost system gyffredinol 20%. Mae'r gostyngiad hwn ym maint cyffredinol y system yn gwneud SiC yn hynod ddefnyddiol mewn cymwysiadau sy'n sensitif i bwysau a gofod.
