Beth yw priodweddau cemegol carbid silicon?

Priodweddau deoxidizing carbid silicon: Oherwydd bod carbid silicon yn cael ei ocsidio'n hawdd ei natur, ac mae'r effaith ocsideiddio yn amlwg iawn ar dymheredd uchel, gellir ei ddefnyddio fel asiant deoxidizing ar dymheredd uchel, yn enwedig mewn gwneud dur.
Lleihau Ocsidiad: Mae silicon carbid yn hawdd ei ocsideiddio ar dymheredd uchel, ond bydd yr ocsidiad yn cynhyrchu haen o ffilm silicon deuocsid, sy'n caniatáu i gynhyrchion carbid silicon gael eu defnyddio'n sefydlog am amser hir ar dymheredd uchel o 1600 gradd.
Ymwrthedd i asidau, alcalïau, ocsidau ac elfennau cemegol: Yn gyffredinol nid yw wedi cyrydu gan sylweddau asidig (ac eithrio asid ffosfforig crynodedig) ar dymheredd is na 2000 gradd. Ac eithrio ei fod yn hawdd ei gyrydu gan sodiwm silicad mewn awyrgylch ocsideiddiol ar 1300 gradd, mae ganddo wrthwynebiad cymharol uchel i sylweddau eraill. Gwrthwynebiad uchel i dymheredd uchel.